作为铺垫的一年，翠展微电子顺利度过2021年，从设立工厂到铺建产线，到调试设备，到正式投产，逐步在积累中实现了一个阶段的跨越式发展。翠展微电子的主要产品——IGBT模块的生产也已大幅跨入增量增产阶段。IGBT是新一代功率半导体的典型应用，既有MOSFET的开关速度快，又有输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，是其他功率器件不能比拟的，因而被誉为“电力电子器件里的CPU”。
IGBT的技术和壁垒极高，虽在变频器、逆变焊机、新能源汽车、充电桩等应用广泛，但仍离普通人的生活比较遥远。本文转载自[电子产品世界论坛.dolphin]，旨在对IGBT进行简单科普，以使大众对翠展微电子打造的国产IGBT新名片有所了解。
1.IGBT的基本结构
定义
2.IGBT模块的术语及其特性术语说明
3.IGBT模块使用上的注意事项
1. IGBT模块的选定
在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。
- a. 电流规格
- IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。
- 一般来说，要将集电极电流的最大值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。
- b.电压规格
- IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。
2. 防止静电
IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。
在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10kΩ左左的电阻为宜。
- 1)在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。
- 2)在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。
- 3)尽量在底板良好接地的情况下操作。
- 4)当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。
- 5)在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。
- 6)装部件的容器，请选用不带静电的容器。
3.并联问题
- 用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。
- 并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。
- 为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。
4.其他注意事项
- 1)保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5－35℃，常湿的规定为45—75％左右。
- 2)开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。
