• 您当前的位置：
首页 » IGBT芯片工艺流程[2024.06.29]

IGBT芯片工艺流程[2024.06.29]

         IGBT，全称绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（绝缘栅型场效应管）和BJT（双极性晶体管）组成的复合全控型功率半导体器件，俗称电力电子装置的“CPU”，通过十几伏的门极控制信号，即可实现kV级电压和kA级电流的控制，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛。
         好了，IGBT芯片的整个加工流程介绍完了，步骤里面只提到了Emitter和Collecter电极，那么大家想一想Gate电极又是在哪部形成的呢？         朋友们，发挥您的思维和智慧吧！

相关新闻